عنوان مقاله

+ مقاله سرامیک ها

فهرست مطالب

+

  • فصل اول :
  •  سرامیک ها
  • مقدمه
  • سرامیک چیست ؟
  • الکتروسرامیک ها
  • برخی از انواع الکتروسرامیک ها
  • ۱-۳-۱ مقاومت ها
  • ۱-۳-۳ فریت ها
  • ۱-۳-۲ دی الکتریک ها
  • ۱-۳-۴ فروالکتریکها
  • ۱-۳-۵ پیزوالکتریک ها
  • فصل دوم :
  •  سرامیکها ی پیزو الکتریک
  • ۲-۱ منشاء پیزو الکتریسیته در مواد
  • ۲-۲ روابط مربوط به پیزوالکتریسیته
  • ۲-۲-۱ ثابت d :
  • ۲-۲-۲ ثابت g :
  • ۲-۲-۳ ثابت دی الکتریک K :
  • ۲-۲-۴ ظرفیت خازنی قطعه C :
  • ۲-۲-۵ ضرایب جفت شدگی الکترومکانیکی :
  • ۲-۲-۶ دمای کوری TC:
  • ۲-۳ سرامیک PZT
  • فصل سوم :
  • ساخت سرامیک پیزوالکتریک PZT
  • مقدمه
  • ۳-۱ انواع روشهای ساخت مواد کریستالی
  • ۳-۱-۱ روشهای سرامیکی
  • ۳-۱-۲ روشهای شیمیایی
  • ۳-۱-۳ روشهای فشار بالا
  • ۳-۱-۴ تکنیکهای قوس
  • ۳-۱-۵ ذوب کاسه ای
  • ۳-۱-۶ رسوب بخار شیمیایی (CVD)
  • ۳-۲انواع روشهای ساخت سرامیک PZT
  • ۳-۳ ساخت سرامیک PZT به روش اکسید پودر
  • ۳-۳-۱ تهیه مواد خام و توزین
  • ۳-۳-۲ مخلوط کردن مواد
  • ۳-۳-۳ کلسینه کردن (تشکیل محلول جامد )
  • ۳-۳-۴ آسیاب کردن و دانه بندی کردن پودر حاصل
  • ۳-۳-۵ شکل دادن و قالب زدن
  • ۳-۳-۶ سینترینگ (پخت )
  • ۳-۳-۷ پرداخت نمونه
  • ۳-۳-۸ الکترود گذاری
  • ۳-۳-۹ قطبی کردن نمونه
  • فصل چهارم :
  •  فرآیند سل-ژل
  • مقدمه
  • ۴-۱ مزایای روش سل- ژل
  • ۴-۲ ترکیبات مشتق شده از سل – ژل
  • ۴-۳ مراحل فرایند سل – ژل
  • گام۱: مخلوط کردن
  • گام ۲: ریخته گری
  • گام ۳: ژل شدگی
  • گام ۴: کهنه سازی
  • گام۵: خشک شدگی
  • گام۶: آبزدایی یا تثبیت شیمیایی
  • گام۷: چگالش
  • ۴-۴ هیدرولیز و پلی تغلیظ (تغلیظ)
  • ۴-۵ ژل شدگی
  • ۴-۵-۱ زمان ژل شدگی
  •  ۴-۵-۲ ویسکوزیته سیستم سل – ژل
  • ۴-۵-۳ ساختار سل
  • ۴-۵-۴تئوری کلاسیکی یا میان-میدانی  ژل شدگی
  • ۴-۶ ماندگی
  • ۴-۶-۱ تغلیظ
  • ۴-۶-۲ سینرسینر
  • ۴-۶-۳ خشن شدگی
  • ۴-۶-۴ تاثیر برخی پارامترهای فرایند برماندگی
  • ۴-۶-۵ خواص
  • ۴-۷ خشک شدگی
  • ۴-۸ نتیجه گیری
  • فصل پنجم :
  •  سرامیک ها
  • ۵-۱مواد اولیه
  • ۵-۱-۱ تیتانیوم تترا ایزوپروکساید
  • ۵-۱-۲ زیرکونیوم ان پروپوکساید
  • ۵-۱-۳استیل استون
  • ۵-۱-۴استات سه آبه
  • ۱-۵ – تریز هیدروکسی متیل اتان
  • ۵-۱-۶متوکسی اتانول
  • ۵-۲شرایط آزمایشگاهی
  • ۵-۳ساخت سل – ژل
  • ۵-۳-۱ مخلوط کردن
  • ۵-۳-۲ژل شدگی
  • ۵-۳-۳خشک کردن
  • ۵-۴کلسینه کردن
  • ۵-۴-۱زمان کلسینه کردن
  • ۵-۴-۲دمای الکسینه کردن
  • ۵-۴-۳پخت نمونه
  • ۵-۵مطالعات XRD
  • ۵-۶ سینترینگ
  • ۵-۶-۱ شکل دادن و قالب زدن
  • ۵-۶-۲دما و زمان سینترینگ
  • ۵-۷بررسی ساختار ریز و مطالعات SEM
  • ۵-۷-۱ مانت کردن (نگه داشتن)
  • ۵-۷-۲پولیش کردن
  • ۵-۷-۲-ب : پولیشر الکتریکی
  • ۵-۷-۳اولتراسونیک
  • ۵-۷-۴- اچ کردن
  • ۵-۷-۵بررسی ساختار ریز بکمک SEM
  • مراجع :
  • فهرست اشکال و جداول
  • شکل ۱-۱ :حلقه پسماند فروالکتریک.
  • شکل ۲-۲ : اثر معکوس در پیزوالکتریک ها
  • شکل ۲-۳ : دمای کوری برخی از مواد
  • شکل ۲-۴ : یک ساختار پایه پروسکایت PZT . (a)ساختار مکعبی واحد. اتمهای تیتانیوم و زیرکونیوم در مرکز (B) قرار گرفته اند. هشت اتم سرب در گوشه ها (A) و شش اتم اکسیژن در مراکز سطوح.
  • (b)ساختار گسترده.
  • شکل ۲-۵ : (۱). PZT در فاز پاراالکتریک. (۲). PZT در فاز فروالکتریک
  • شکل ۳-۱ : دستگاه پیستون – سیلندر
  • شکل ۳-۲ : کوره قوس D.C.
  • جدول ۳-۱ : انواع روشهای ساخت پودر[۴].
  • شکل ۳-۳ : برخی از اشکال سرامیک PZT
  • شکل ۳-۴ : طرحی تصوری از مراحل قطبش.
  • شکل ۳-۵ : تغییر بعد سرامیک در حین قطبش.
  • شکل۴-۱ : تانژانت اتلاف بعنوان زمان ژل شدگی:
  • (الف) نمودار ضریب ذخیره سازی و ضریب اتلاف بر حسب زمان ماندگی
  • (ب) نمودار تانژانت اتلاف بر حسب زمان ماندگی
  • شکل ۴-۲ :تغییرات زمان ژل شدگی با نسبت R
  • شکل۴-۳ :درختکایلیبا Z=3;N=43;n=81,P=0.6
  • شکل ۴-۴ : مراحل ماندگی ژل: (A) ژل هنگامی که شکل گرفته و خشک شده، انقباض در خشک شدن، که حجم حفره و بعد حفره کوچک را نتیجه می دهد(B)ماندگی حرارتی مرطوب – پیوستگی افزایش یافته. انقباض کوچک در خشک شدن. بعد حفره بزرگتر از نمونه خشک شده A. (C) ماندگی حرارتی بیشتر. منطقه کوچک ساختار پیوسته و حفره های بزرگ، اما حجم حفره همان حجم نمونه B است. (D) تجزیه به ذرات گرد نامنظم.
  • شکل ۴-۵ : نمایش شماتیک سطح ژل در آغاز مرحله ۱
  • شکل ۴-۶ : نمایش شماتیک سطح ژل در انتهای مرحله ۱ (نقطه بحرانی): این شکل با شکل ۴-۵ هر دو در یک مقیاس کشیده شده است.
  • شکل۱-۵ : تصویری از مراحل عملی کار در آزمایشگاه شیمی مؤسسه تحقیقاتی پرطاووس
  • شکل۵-۲ : (سمت چپ) ژل PZT پس از رقیق شدن. (سمت راست) ژل خشک شده PZT
  • شکل۵-۳ : طرح پراش XRDنمونه کلسینه شده در دمای C º۶۰۰
  • شکل۵-۴ : طرح پراش XRDنمونه کلسینه شده در دمای C º۷۰۰
  • شکل۵-۵ : تصویری از قرصهای مانت شده
  • جدول۵-۱ : نتایج تصاویر SEM
  • شکل۵-۶ :
  • شکل۵-۷ :
  • شکل۵-۸ :
  • شکل۵-۹ :
  • دمای ۶۰۰

======